【金年會官網，科技消息】金年會官網，從韓媒獲悉，三星正加速推進京畿道平澤第五工廠（P5）的建設復工，旨在搶占新一代高帶寬內存（HBM）的先發產能。

三星

據半導體行業消息，三星平澤園區P5工地工人已開始密集搬運鋼結構并接受安全培訓，預示全面施工即將啟動。公司計劃最早于下月重啟投資并動工。該項目原定去年啟動，但因半導體市場惡化而延期。

據悉，三星擬通過P5擴建提升HBM供應能力。HBM作為垂直堆疊多塊DRAM的高性能內存，可大幅提升數據處理速度。當前市場主導產品為第五代HBM3E（應用于英偉達Blackr:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫ell芯片），三星預計本月通過其質量驗證。

在向英偉達批量供應HBM3E后，三星計劃搶占第六代HBM4市場先機。HBM4將搭載于英偉達下一代AI加速GPU"Rubin"。盡管三星HBM研發進度較SK海力士落后約三個月，但公司擬通過強化產能實現快速追趕。

英偉達預計明年一季度完成HBM4質量驗證，并于下半年敲定Rubin系列供應商及訂單量。雖然SK海力士可能率先獲單，但業界正密切關注三星的訂單進展速度。

為提前向英偉達供應HBM4，三星計劃在平澤第四工廠（P4）空置產線導入10納米級第六代（1c）DRAM工藝，以行業最先進制程量產HBM4專用DRAM。目前三星已完成HBM4內部量產批準，正籌備樣品生產以推進客戶供應談判。樣品生產系大規模量產前向客戶提供少量試制芯片的關鍵階段。

半導體行業人士指出："內存市場預計明年起逐步復蘇，HBM需求將持續增長。三星此舉旨在預先確保產能以把握機遇。"KB證券分析師金東元預測："三星將通過明年一季度平澤園區擴建提升2026年HBM市場份額，且極有可能在四季度啟動HBM4初期生產。"

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